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論文

Observation of defect clusters in masked thin foil CU by He$$^{+}$$ ion irradiation

石田 巌*; 義家 敏正*; 桐谷 道雄*; 佐々木 茂美; 岩瀬 彰宏; 岩田 忠夫

Proc.XIth Int.Cong.on Electron Microscopy, p.1281 - 1282, 1986/00

純度99.999%の銅を電解研磨によりクサビ形薄膜試料とし、2枚の試料を交差して重ね合わせ、室温で、2MVV.d.G加速器を用いて500keVHe$$^{+}$$イオンを、照射強度2.8$$times$$10$$^{1}$$$$^{2}$$ions/cm$$^{2}$$・S、照射量8.3$$times$$10$$^{1}$$$$^{4}$$ions/cm$$^{2}$$・Sまで照射し、導入された点欠陥集合体を電子顕微鏡JEM-200CXを用いて観察した。その結果、マスクのない試料部分およびマスクの薄い試料部分では積層欠陥四面体が主に観察され、マスクの厚い試料部分では転移ループのみが観察された。これは、イオン入射面近傍とイオンの飛程の近傍とでは、欠陥集合体形成の機構が異なっていることを示している。

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